STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGWA20H65DFB2

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marka: STMicroelectronics
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1200
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 6,100 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Chiny
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium VCE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT features a low VCE(sat) of 1.65V (typical) at an IC of 20A. 

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Na stanie magazynowym: 811

Stany magazynowe:
811 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
11,93 zł 11,93 zł
6,59 zł 65,90 zł
4,83 zł 483,00 zł
4,12 zł 2 060,00 zł
3,65 zł 4 380,00 zł
3,58 zł 8 592,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.