QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Produc.:

Opis:
RF JFET Transistors 0.25 mm Pwr pHEMT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 100

Stany magazynowe:
100 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 100 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 100   Wielokrotności: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 100)
43,39 zł 4 339,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Tranzystory JFET RF
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marka: Qorvo
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Rodzaj produktu: RF JFET Transistors
Seria: QPD2025D
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.