EVAL 2ED2101 HB-LLC Evaluation Board
Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC Evaluation Board demonstrates the switching performance of the SOI high-side and low-side 2ED2101S06F Gate Driver. The 2ED2101S06F is a high voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels with resonant-tank switching frequencies in the 500kHz range.
Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Sugestie wyszukiwania
- Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
- Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
- Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
- Zastosuj jednorazowo jeden filtr