IXSJxN120R1K 1200V SiC Power MOSFETs

IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC Power MOSFETs feature up to 1200V blocking voltage with 18mΩ or 36mΩ low RDS(on). These IXYS SiC power MOSFETs offer a low gate charge of 79nC (IXSJ43N120R1K) or 155nC (IXS80N120R1K) and a low input capacitance of 2453pF (IXSJ43N120R1K) or 4556pF (IXSJ80N120R1K). The IXSJxN120R1K provides a 15V to 18V flexible gate voltage range and a recommended turn-off gate voltage of 0V. Applications include electric vehicle (EV) charging infrastructures, solar inverters, switch-mode power supplies, uninterruptible power supplies, motor drives, and more.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in ISO247-4L
Karta charakterystyki
390Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in ISO247-4L
Karta charakterystyki
400Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement