SQS414CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQS414CENW-T1_GE3
SQS414CENW-T1_GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SQS414CENW-T1_GE3

Na stanie magazynowym: 559

Stany magazynowe:
559
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
18 000
Oczekiwane: 23.04.2026
18 000
Oczekiwane: 30.04.2026
Średni czas produkcji:
5
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
3,83 zł 3,83 zł
2,39 zł 23,90 zł
1,57 zł 157,00 zł
1,21 zł 605,00 zł
1,10 zł 1 100,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,949 zł 2 847,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
60 V
18 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
8.9 nC
- 55 C
+ 175 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 9.6 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 4 ns
Seria: SQS
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SQS414CENW Automotive N-Ch 60V (D-S) 175°C MOSFETs

Vishay / Siliconix SQS414CENW Automotive N-Ch 60V (D-S) 175°C MOSFETs offer TrenchFET® power MOSFET technology in a PowerPAK® 1212-8W single package. The AEC-Q101 qualified SQS414CENW provides a 60V drain-source voltage and 18A continuous drain current. The Vishay / Siliconix SQS414CENW Automotive N-Ch 60V (D-S) 175°C MOSFETs are designed for automotive applications.

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.