Moduły zasilania MOSFET SiC 1200–V GEN3

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [RDS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 188 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMX Tube