Buffers for Wireless Technology

The RF Transistor is a semiconductor device which can be used as an amplifier for high-power radio frequency signals. When an amplifier is used as a buffer, it has unity-gain; thus it only isolates signals between electrical nodes. An RF transistor configured as a buffer can isolate the driver from the load at radio frequencies.

Learn More

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Seria Rodzaj tranzystora Technologia Polaryzacja tranzystora Częstotliwość robocza Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min. Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie emiter–baza VEBO Ciągły prąd kolektora Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Konfiguracja Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
Nexperia RF Bipolar Transistors BFS19/SOT23/TO-236AB 5 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Bipolar Si NPN 260 MHz 20 V 5 V 30 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia RF Bipolar Transistors BFS20/SOT23/TO-236AB 7 229Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

Bipolar Si NPN 450 MHz 20 V 4 V 25 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia RF Bipolar Transistors BFS20W/SOT323/SC-70 8 361Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Bipolar Si NPN 470 MHz 20 V 4 V 25 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia RF Bipolar Transistors BFS20/SOT23/TO-236AB 5Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 02.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Bipolar Si NPN 450 MHz 40 20 V 4 V 25 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi RF Bipolar Transistors PNP RF Transistor
62 716Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

MMBTH81 Bipolar Si PNP 600 MHz 60 20 V 3 V 50 mA - 55 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-23-3 Reel, Cut Tape, MouseReel