STAC RF DMOS Transistors

STMicroelectronics STAC RF DMOS Transistors are designed for applications ranging from 1MHz to 250MHz, such as FM broadcast, industrial, scientific and medical applications. STMicroelectronics RF DMOS transistors operate from a supply voltage of up to 300V. They feature high peak power (up to 1.2kW) and high ruggedness capability (infinite:1VSWR). The STAC air cavity features enhanced thermal behavior, improved RF performance and best-in-class reliability.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F.
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 80
Wielokr.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 80
Wielokr.: 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk