ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier

Analog Devices ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers are pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifiers that operate from 18GHz to 44GHz. The amplifiers provide 23.5dB of small signal gain, 29dBm output power for 1dB compression, and a typical output third-order intercept of 38dBm. The ADPA7006 requires 800mA from a 5V supply on the supply voltage (VDD) and features inputs and outputs that are internally matched to 50Ω, facilitating integration in multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm wire bonds that are less than 0.31mm long.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie NF – współczynnik szumów Rodzaj Styl mocowania Technologia P1dB – Punkt kompresji OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier 28 dBm P1dB, 20 dB gain
79Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 GHz to 44 GHz 5 V 800 mA 23 dB 7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaAs 29 dBm 39 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices ADPA7006AEHZ-R7
Analog Devices RF Amplifier 28 dBm P1dB, 20 dB gain
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

Si Reel