Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Długość fali szczytowej
Prąd ciemny
Vr – napięcie wsteczne
Czas narastania
Czas zanikania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Ceramic Package Assembly
Karta charakterystyki
48Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PIN Photodiodes Through Hole 1100 nm 6 nA 75 V 190 ns 45 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes Blue Enhanced Photodiode
Karta charakterystyki
1 442Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes Bi-Cell Red Enhanced Photodiode Assembly
Karta charakterystyki
379Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 900 nm 500 pA 50 V 50 ns 15 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode
Karta charakterystyki
160Oczekiwane: 21.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode
Karta charakterystyki
100Oczekiwane: 23.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C