DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
If – prąd przewodzenia diody
Konfiguracja
Vf – Napięcie przewodzenia
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO
Karta charakterystyki
13Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies Diode Modules LOW POWER ECONO
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Tray