Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BYV10D-600PJ

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-BYV10D-600PJ

Nr prod.:

BYV10D-600PJ

Produc.:

WeEn Semiconductors

Opis:

Small Signal Switching Diodes BYV10D-600P/TO252/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Karta charakterystyki:

BYV10D-600PJ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o WeEn Semiconductors BYV10D-600PJ

Na stanie magazynowym: 153

Stany magazynowe:: 153 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,55 zł	3,55 zł
	2,19 zł	21,90 zł
	1,50 zł	150,00 zł
	1,17 zł	585,00 zł
	1,01 zł	1 010,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	0,856 zł	2 140,00 zł
	0,688 zł	3 440,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	WeEn Semiconductors
Kategoria produktów:	Niskosygnałowe diody przełączające
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Power Diodes
Styl mocowania:	SMD/SMT
Szczytowe napięcie wsteczne:	600 V
Max. udar prądowy:	132 A
If – prąd przewodzenia diody:	10 A
Konfiguracja:	Single
Czas regeneracji:	40 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.07 V
Ir – Prąd wsteczny:	10 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	WeEn Semiconductors
Rodzaj produktu:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwy umowne nr części:	934072251118

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

BYV10D-600PJ Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

BYV10D-600P Ultrafast Power Diode

WeEn Semiconductors BYV10D-600P Ultrafast Power Diode offers a low thermal resistance in a TO-252 (DPAK) plastic package. The BYV10D-600P Ultrafast Power Diode features a low forward voltage drop, low reverse recovery current, and low leakage current. The WeEn Semi BYV10D-600P Diode has a 600V repetitive peak reverse voltage and a junction temperature of +175°C.