Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

PSMN025-100HSX

Name: Nexperia PSMN025-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN025-100HSX
Price: 2.38 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-PSMN025-100HSX

Nr prod.:

PSMN025-100HSX

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT1205 100V 29.5A

Karta charakterystyki:

PSMN025-100HSX Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia PSMN025-100HSX

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1500 Wielokrotności: 1500

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	2,38 zł	3 570,00 zł
	2,21 zł	6 630,00 zł
	2,20 zł	9 900,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-56D-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	29.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	24.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	38.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	68 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Marka:	Nexperia
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	934665466115

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

PSMN025-100HSX Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN025 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN025 N-Channel MOSFET is a dual standard level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package. The Nexperia uses TrenchMOS technology. The device features a high peak drain current IDM and a copper clip with flexible Leads.