650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density, demanded by various applications. These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 650V SiC MOSFETs offer the best-in-class 20mΩ to 55mΩ low on-resistance range. These MOSFETs feature a peak efficiency above 97% at 137W/inch³ power density. The 650V SiC MOSFETs come in a thermally enhanced, rugged, high-speed, surface-mount TOLL package. Typical applications include AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.

Wyniki: 14
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Tryb kanału
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 949Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 129Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1 163Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 775Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 058Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 055Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 200

SMD/SMT TO-LL N-Channel 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1 129Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 056Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 200