High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Rodzaje tranzystorów

Zmień widok kategorii
Wyniki: 19
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT 448Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT 2 787Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD 281Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT 224Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT 307Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN 334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET 277Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD 127Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT 8Na stanie magazynowym
720Oczekiwane: 11.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
1 275Oczekiwane: 22.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
300Oczekiwane: 01.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+ Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 34 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 80 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3