LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs

Nexperia LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs offer 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance constructed in the space-saving LFPAK56D package. The LFPAK56D MOSFETs have removed PCB tracks and permit simple automated optical inspection (AOI) during production, resulting in a 30% lower PCB area than dual MOSFETs 3 phase motor control topologies.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT1205 N-CH 40V 98A 166Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 98 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 42A
4 500Oczekiwane: 30.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13.9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel