1200V Common Emitter IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V Common Emitter IGBT Modules are part of the TRENCHSTOP™ IGBT7 portfolio that combines a 600A or 800A common emitter with low saturation and a fast trench IGBT module with an emitter-controlled diode. The 1200V Common Emitter IGBT Modules provide higher current capability in existing packages, allowing an increase in inverter output power with the same frame size. The Infineon 1200V Common Emitter IGBT Modules supply high power density, reliability, and flexibility, prepared for three-level configuration.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Prąd upływowy bramka–emiter Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module 26Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A common emitter IGBT module 13Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray