NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module

onsemi NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module features two 6mΩ 1200V SiC MOSFET switches and a thermistor in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M1 technology and are driven with an 18V to 20V gate drive. The NXH006P120MNF2 module provides improved reliability from planar technology and low die thermal resistance. Typical applications include DC-AC conversion, DC-DC conversion, energy storage systems, UPS, AC-DC conversion, electric vehicle charging stations, and solar inverters.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie


onsemi MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray
onsemi MOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray