Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 57.08 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTBL023N065M3S

Nr prod.:

NTBL023N065M3S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTBL023N065M3S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTBL023N065M3S

Na stanie magazynowym: 1 707

Stany magazynowe:: 1 707 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 28 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 20

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	57,08 zł	57,08 zł
	40,32 zł	403,20 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	40,32 zł	80 640,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H-PSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	77 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	32.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	69 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	312 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9.6 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	15 ns
Seria:	NTBL023N065M3S
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTBL023N065M3S Karta charakterystyki

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Filipiny
Kraj montażu:: Filipiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.