Wyniki: 15
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Tryb kanału
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 765Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 547Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 498Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Karta charakterystyki
428Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 124Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 021Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 592Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 695Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement