Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

A2TBH45M65W3-FC

Name: STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2TBH45M65W3-FC
Price: 344.3 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-A2TBH45M65W3-FC

Nr prod.:

A2TBH45M65W3-FC

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFET Modules ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

A2TBH45M65W3-FC Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 36

Oczekiwane: 17.02.2026
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	344,30 zł	344,30 zł
	287,76 zł	2 877,60 zł
	258,17 zł	27 882,36 zł
504	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	ACEPACK
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	28 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	72 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.2 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	STMicroelectronics
Wysokość:	12 mm
If – prąd przewodzenia diody:	20 A
Długość:	62.8 mm
Produkt:	MOSFET Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Wielkość opakowania producenta:	18
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Power Module
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.4 V
Szerokość:	56.7 mm
Jednostka masy:	42 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

A2TBH45M65W3-FC Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

A2TBH45M65W3-FC Power Module

STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC Power Module realizes a triple boost plus half-bridge topology in an ACEPACK^™ 2 module with NTC and capacitance. It integrates the current advances in silicon carbide MOSFETs from STMicroelectronics, represented by third-generation technology. This modular solution is used to realize complex topologies with very high power density and efficiency requirements.