DSCxA065LP Silicon Carbide Schottky Diodes

Diodes Incorporated DSCxA065LP Silicon Carbide Schottky Diodes feature superior reverse leakage stability at high temperatures in a DFN8080 package. The robust, industry-standard DFN8080 package is made of plastic, a "green" molding compound.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
2 497Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.33 V 29 A 110 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
2 490Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.42 V 28 A 60 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
2 497Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 6 A 650 V 1.35 V 38 A 270 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
2 497Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 8 A 650 V 1.33 V 47 A 100 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
1 302Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 10 A 650 V 1.35 V 55 A 190 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape