AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

Wyniki: 34
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Karta charakterystyki
1 201Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Karta charakterystyki
1 488Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Karta charakterystyki
750Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 18.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
Karta charakterystyki
321Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Karta charakterystyki
85Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 18.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
117Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 80 mOhms - 6 V, + 22 V 1.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
450Oczekiwane: 23.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101