NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules are part of the VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power module family for EV and HEV traction inverter applications. These SiC modules integrate a 1200V drain-source voltage in a half-bridge configuration and sintering technology for die attachment to enhance reliability and thermal performance. The NVVR26A120M1WSx modules feature an ultra-low RDS(on), an aluminum nitride isolator, and ultra-low 7.1nH stray inductance. These SiC modules operate within a -40°C to +175°C temperature range and come in AHPM-15 packages. The NVVR26A120M1WSx modules are automotive AQG324 compliant and UL 94V-0 flammability rated.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
onsemi MOSFET Modules SIC A1HPM 1200 V 24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount AHPM-15
onsemi Discrete Semiconductor Modules SIC A1HPM 1200 V 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Through Hole