TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 15
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Karta charakterystyki
1 425Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Karta charakterystyki
1 280Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Karta charakterystyki
615Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Karta charakterystyki
279Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Karta charakterystyki
382Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Karta charakterystyki
710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Karta charakterystyki
396Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Karta charakterystyki
480Oczekiwane: 10.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 30 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 30 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)