Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

UF4SC120023B7S

Name: onsemi UF4SC120023B7S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF4SC120023B7S
Price: 89.66 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-UF4SC120023B7S

Nr prod.:

UF4SC120023B7S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO263-7

Karta charakterystyki:

UF4SC120023B7S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi UF4SC120023B7S

Na stanie magazynowym: 1 081

Stany magazynowe:: 1 081 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 28 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	89,66 zł	89,66 zł
	65,36 zł	653,60 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	64,07 zł	51 256,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	72 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	23 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	6 V
Qg – ładunek bramki:	37.8 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	385 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	SiC FET
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC FET
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	25 ns
Seria:	UF4SC
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	64 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	23 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

UF4SC120023B7S Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF4SC120023B7S G4 Silicone Carbide (SiC) FETs

onsemi UF4SC120023B7S G4 Silicone Carbide (SiC) FETs are 1200V, 23mΩ devices based on a unique cascode circuit configuration. A normally-on SiC JFET is co-packaged in this configuration with a Si MOSFET, producing a normally-off SiC FET device. The device’s standard gate-drive characteristics allow the use of off-the-shelf gate drivers, thus requiring minimal re-design when replacing Si IGBTs, Si super junction devices, or SiC MOSFETs. Available in a space-saving D2PAK-7L package (enabling automated assembly), these devices exhibit an ultra-low gate charge and exceptional reverse recovery characteristics. onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC FETs are ideal for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive.