RBRxx40ATL Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx40ATL Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low VF diodes with 40V reverse direct voltage (VR). These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in either TO-263S (D²PAK) or TO-252 (DPAK) packages. The RBRxx40ATL barrier diodes from ROHM Semiconductor offer high reliability and operate at -55°C to +150°C temperature range. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 30A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
885Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 40 V 620 mV 100 A 360 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 40 V 620 mV 50 A 120 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 20A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 40 V 620 mV 100 A 240 uA + 150 C Reel