Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FGH40N60SMD

Name: onsemi FGH40N60SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH40N60SMD
Price: 22.51 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FGH40N60SMD

Nr prod.:

FGH40N60SMD

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT

Karta charakterystyki:

FGH40N60SMD Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 5 630

Stany magazynowe:: 5 630 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 11 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 210

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	22,51 zł	22,51 zł
	12,81 zł	128,10 zł
	10,92 zł	1 310,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	600 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.9 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	80 A
Pd – strata mocy:	349 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	FGH40N60SMD
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Prąd upływowy bramka–emiter:	400 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	6,390 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FGH40N60SMD Karta charakterystyki

Models

FGH40N60SMD Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGH40N60SMD Field Stop IGBT

onsemi FGH40N60SMD Field Stop IGBT transistor uses onsemi's Novel Field Stop IGBT technology, and offers the optimum performance for Solar Inverter, UPS, Welder, and SMPS applications where low conduction and switching losses are essential. onsemi FGH40N60SMD Field Stop IGBT transistor features high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching.