Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie

onsemi MOSFETs MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 46 A, 65 mohm, TO-247
Karta charakterystyki
446Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
Karta charakterystyki
214Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube