FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs

onsemi FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs use the novel field stop 7th generation IGBT technology and the Gen7 Diode in a TO-247 4−lead package. The onsemi FGY4LxxT120SWD offers the optimum performance with low switching and conduction losses for high−efficiency operations in various applications like solar inverter, UPS and ESS.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi IGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
Karta charakterystyki
180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
Karta charakterystyki
176Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 10.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
Karta charakterystyki
49Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
Karta charakterystyki
59Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube