PSMN8R0 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN8R0 N-Channel MOSFET is a dual logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (dual power-SO8) package. The MOSFET uses TrenchMOS technology. The device is repetitive avalanche rated and qualified to 175°C.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A 3 252Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.8 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A 66Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel