Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Niedostępne na stanie
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50
: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V