Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTTFS1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D8N02P1E
Price: 11.95 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTTFS1D8N02P1E

Nr prod.:

NTTFS1D8N02P1E

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

Karta charakterystyki:

NTTFS1D8N02P1E Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTTFS1D8N02P1E

Na stanie magazynowym: 501

Stany magazynowe:: 501 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	11,95 zł	11,95 zł
	7,78 zł	77,80 zł
	5,42 zł	542,00 zł
	4,64 zł	2 320,00 zł
	4,43 zł	4 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,34 zł	13 020,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PQFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	150 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	17.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	46 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	NTTFS1D8N02P1E
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	122,136 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTTFS1D8N02P1E Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTTFS1D8N02P1E N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS1D8N02P1E N-Channel Power MOSFET features a compact design and good thermal performance. This MOSFET offers low drain-to-source resistance (R_DS(on)) to minimize conduction losses and low total gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. onsemi NTTFS1D8N02P1E MOSFET provides 25V drain-to-source voltage (V_(BR)DSS) and 150A maximum drain current (I_D). Typical applications include DC-DC converters, power load switches, notebook battery management, motor control, secondary rectification, battery management, and Point of Load (POL).