Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVH4L095N065SC1

Name: onsemi NVH4L095N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L095N065SC1
Price: 46.91 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVH4L095N065SC1

Nr prod.:

NVH4L095N065SC1

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Karta charakterystyki:

NVH4L095N065SC1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVH4L095N065SC1

Na stanie magazynowym: 440

Stany magazynowe:: 440 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	46,91 zł	46,91 zł
	28,17 zł	281,70 zł
	26,75 zł	3 210,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	31 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	105 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 18 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	50 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	64 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Czas zanikania:	9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	6.9 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	Mosfets
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	12 ns
Seria:	NVH4L095N065SC1
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVH4L095N065SC1 Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature advanced technology for better-switching performance and reliability. The onsemi NVH4L095N065SC1 has low ON resistance and compact chip size, resulting in reduced capacitance and gate charge. The device also has high efficiency, fast operation, increased power density, less EMI, and a smaller system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).