1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 450 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
20Oczekiwane: 26.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray