LMG3410R070 600V 70mΩ GaN Power Stage

Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN Power Stage with integrated driver and protection offers advantages over silicon MOSFETs. These include ultra-low input and output capacitance. Features include zero reverse recovery, which reduces switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to decrease EMI.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba sterowników
Liczba wyjść
Prąd wyjścia
Napięcie zasilania – min.
Napięcie zasilania – max.
Konfiguracja
Czas narastania
Czas zanikania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Texas Instruments Gate Drivers 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR
Karta charakterystyki
236Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Gate Drivers 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 9.5 V 18 V 15 ns 4.2 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel