Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified silicon N-channel MOSFETs. Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs offer low drain-source on-resistance and are ideal for use in high-speed switching applications as well as automotive DC-DC converters and power management switches.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie

Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20 2 723Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W 5 400Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2 2 212Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss 5 951Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected 2 554Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 20.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min 19 258Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
5 998Oczekiwane: 15.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel