Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 314
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag 574Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 653Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS 441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 1 072Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 1 012Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 399Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 23.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected 207Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 1 554Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh 229Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 06.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2 422Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 880Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5 986Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5 13Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package 137Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed 344Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 02.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT 1 076Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed 185Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 452Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT 258Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo 400Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
591Oczekiwane: 01.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT 470Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT 311Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd 74Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET 163Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2