Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 314
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3