Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 314
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
Karta charakterystyki
255Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
Karta charakterystyki
461Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
132Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Karta charakterystyki
127Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Karta charakterystyki
600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Karta charakterystyki
591Oczekiwane: 01.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
Karta charakterystyki
Czas realizacji 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Karta charakterystyki
Czas realizacji 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3