RBQxx65ANZ Low IR Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBQxx65ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common type low IR diodes for general rectification. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in a power mold type (TO-220FN) package. ROHM Semiconductor RBQxx65ANZ barrier diodes offer high reliability and are ideally suitable for switching power supplies and general rectification. 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 65V, 20A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
690Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 65 V 610 mV 100 A 30 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 65V, 30A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
555Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 65 V 640 mV 100 A 35 uA + 150 C Tube