Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIHS90N65E-GE3

Name: Vishay SIHS90N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHS90N65E-GE3
Price: 75.12 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIHS90N65E-GE3

Nr prod.:

SIHS90N65E-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET

Karta charakterystyki:

SIHS90N65E-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIHS90N65E-GE3

Na stanie magazynowym: 72

Stany magazynowe:: 72 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 72 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	75,12 zł	75,12 zł
	53,75 zł	537,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	Super-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	87 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	29 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	394 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	625 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	267 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	32 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	152 ns
Seria:	SIHS E
Wielkość opakowania producenta:	480
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	E Series Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	323 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	85 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIHS90N65E-GE3 Karta charakterystyki

Models

Technical Resources

TO-274AA (High Voltage)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHS90N65E Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET offers a low figure-of-merit, low input capacitance, and ultra-low gate charge. The SiHS90N65E Power MOSFET has a 700V drain-source voltage and is optimized to reduce switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET is suitable for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.