Moduły półmostkowe NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC

Moduły półmostkowe NXH00xP120M3F2PTxG Elitelisic firmy onsemi to moduły podwójne z dwoma przełącznikami MOSFET SiC 3 mΩ lub 4 mΩ 1200V oraz termistorem na podłożu z bezpośrednio wiązanej miedzi (DBC) z tlenkiem glinu (HPS) lub azotku krzemu (Si3N4) DBC. Przełączniki SiC MOSFET w obudowach F2 wykorzystują technologię M3S i oferują zakres sterowania bramek od 15 V do 18 V. Zastosowania obejmują przekształtniki DC-AC, DC-DC oraz AC-DC.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
onsemi MOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Karta charakterystyki
58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray