Tranzystory MOSFET SiC SICW0x 1200 V z kanałem typu N

Tranzystory MOSFET SiC z kanałem N SICW0x 1200 V firmy Micro Commercial Components (MCC) zwiększają wydajność w uniwersalnych obudowach TO-247-4, TO-247-4L i TO-247AB. Te tranzystory MOSFET charakteryzują się wysoką prędkością przełączania, niskim ładowaniem bramki, elastycznością projektowania i niezawodnością. Tranzystory MOSFET SiC SICW0x 1200 V oferują typowy szeroki zakres rezystancji włączenia 21 mΩdo 120 m Ω i niezawodną wydajność. Mają doskonałe właściwości termiczne i szybką wewnętrzną diodę, co zapewnia płynną i wydajną pracę w trudnych warunkach. Tranzystory MOSFET SiC SICW0x są dostępne w konfiguracjach 3-stykowych i 4-stykowych (źródło Kelvina). Typowe zastosowania obejmują napędy silnikowe, urządzenia spawalnicze, zasilacze, systemy energii odnawialnej, infrastrukturę ładowania, systemy chmurowe i zasilacze awaryjne (UPS).

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Karta charakterystyki
357Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Karta charakterystyki
359Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Karta charakterystyki
340Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Karta charakterystyki
360Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 800
Wielokr.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement