Photodiodes

Advanced Photonix delivers a comprehensive portfolio of high-performance photodiodes and optical sensors engineered for precision detection across ultraviolet, visible, and near-infrared wavelengths. These devices are trusted across aerospace and defense, medical and life sciences, industrial, and test and measurement markets.

Wyniki: 135
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Długość fali szczytowej
Prąd ciemny
Vr – napięcie wsteczne
Czas narastania
Czas zanikania
Stopnie kątowe połówkowej linii spektralnej
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Advanced Photonix Photodiodes 2.5Gbps InGaAs Hybrid TO-46
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-46 Through Hole 1650 nm - 40 C + 85 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Photodiodes TO-46 Through Hole 1650 nm - 40 C + 85 C
Advanced Photonix Photodiodes 1x1 mm human eye response silicon photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-18 SMD/SMT 200 pA 15 VDC - 25 C + 85 C OSD-E
Advanced Photonix Photodiodes 5.8x5.9 mm fully depleted, high energy radiation silicon photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes - 25 C + 75 C OSD35-LR
Advanced Photonix Photodiodes 2.5 mm diameter human eye response silicon photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-5 SMD/SMT 500 pA 15 VDC - 25 C + 85 C OSD-E
Advanced Photonix Photodiodes 100 mm sq. human eye response silicon photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-8 SMD/SMT 8 nA 15 VDC - 25 C + 85 C OSD-E
Advanced Photonix Photodiodes Silicon Photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 1100 nm 500 pA 100 V 15 ns 15 ns - 55 C + 150 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

Photodiodes Wire 1100 nm 30 nA 50 V 30 ns 30 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes 4x4 element two dimensional array silicon photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

Photodiodes LCC SMD/SMT 850 nm - 20 C + 60 C 4X4 Array Detectors
Advanced Photonix Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 950 nm 2 nA 120 V 40 ns - 20 C + 60 C Lg Active HIghSpeed
Advanced Photonix Photodiodes 3 mm diameter fully depleted, high energy radiation photodetector
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 100
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 900 nm 0.2 nA 135 V 1.5 ns - 40 C + 100 C Lg Active HIghSpeed
Advanced Photonix Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 100
Wielokr.: 1

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 950 nm 2 nA 70 V 6 ns - 20 C + 60 C Lg Active HIghSpeed
Advanced Photonix Photodiodes 15 mm sq. fully depleted, high energy radiation photodetector
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 900 nm 1 nA 140 V 3 ns - 40 C + 100 C Lg Active HIghSpeed
Advanced Photonix Photodiodes 9.7x9.7 mm active area low noise solderable photodiode chip
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes 970 nm Solderable Chip
Advanced Photonix Photodiodes 2.3x4.2 mm active area low noise solderable photodiode chip
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes 970 nm Solderable Chip
Advanced Photonix Photodiodes 4.5x23.5 mm active area low noise solderable photodiode chip
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes 970 nm Solderable Chip
Advanced Photonix Photodiodes 10x10mm Silicon TetraLateral
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes TO-5-3 Through Hole 670 nm 250 nA 1 us 0 C + 70 C
Advanced Photonix Photodiodes 18.8x18.8 mm active area tetra lateral position sensing detector
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 1

Photodiodes 1 uA 5 us 0 C + 70 C Two-Dimensional
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-46-2 Through Hole 0.2 nA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-46 900 nm to 1700 nm 0.5 nA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000

Photodiodes 1210 SMD/SMT 0.5 nA 20 V 65 deg - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes 1.3x1.3 mm quadrant UV-Enhanced silicon photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes 5 V 10 us - 10 C + 60 C SPOT
Advanced Photonix Photodiodes 10mm dia Quadrant Si w/ hole
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 20
Wielokr.: 1

Photodiodes Through Hole 10 nA 30 V 6 ns - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-5 0 C + 70 C
Advanced Photonix Photodiodes 5.7mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 1 us - 20 C + 60 C