Photodiodes

Advanced Photonix delivers a comprehensive portfolio of high-performance photodiodes and optical sensors engineered for precision detection across ultraviolet, visible, and near-infrared wavelengths. These devices are trusted across aerospace and defense, medical and life sciences, industrial, and test and measurement markets.

Wyniki: 135
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Długość fali szczytowej
Prąd ciemny
Vr – napięcie wsteczne
Czas narastania
Czas zanikania
Stopnie kątowe połówkowej linii spektralnej
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Advanced Photonix Photodiodes 100 mm sq. active area silicon photodiode, transimpedance amplifier combination
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes TO-5 2 nA 30 V 0 C + 70 C Photop
Advanced Photonix Photodiodes Surface Mount Photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

PIN Photodiodes SMD/SMT 500 pA 50 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-46 Through Hole 1700 nm 600 pA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-46 Through Hole 1700 nm 600 pA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Photodiodes 1206 SMD/SMT 1100 nm 500 pA 50 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

PIN Photodiodes TO-46 Through Hole 1100 nm 500 pA 50 V 72 ns 72 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

PIN Photodiodes TO-46 Through Hole 1100 nm 8 nA 75 V 190 ns 190 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-46 Through Hole 1700 nm 500 pA 20 V - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 100
Wielokr.: 1

Photodiodes TO-5 Through Hole 1100 nm 600 pA 50 V 65 ns 65 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes PIN Photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50

PIN Photodiodes 0.25 uA 1 us - 10 C + 60 C
Advanced Photonix Photodiodes Red Enhanced Photodiode Assembly
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-5 Through Hole 1100 nm 10 nA - 40 C + 85 C
Advanced Photonix Photodiodes 16-element silicon photodiode array on PCB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Photodiodes SMD/SMT - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix Photodiodes 76-element silicon photodiode array on ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

Photodiodes SMD/SMT - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix Photodiodes 35-element silicon photodiode array on ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes DIP-40 Through Hole 50 pA - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix Photodiodes 38-element silicon photodiode array on ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes DIP-40 Through Hole 50 pA - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix Photodiodes 38-element low noise silicon photodiode array on ceramic
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes DIP-40 Through Hole - 30 C + 85 C Multi-Element Array
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 40
Wielokr.: 40

Avalanche Photodiodes TO-46-3 Through Hole 1550 nm 80 nA 0.8 ns - 40 C + 85 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Photodiodes 1206 (3215 metric) SMD/SMT 200 pA 20 V 65 deg - 40 C + 100 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

Photodiodes TO-46-2 Through Hole 275 nm 300 pA 20 V - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 40

PIN Photodiodes TO-5-2 Through Hole 5 nA 100 V - 40 C + 85 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 500
Wielokr.: 500

Photodiodes TO-5-3 Through Hole 2 nA 30 V 0.5 us - 40 C + 80 C
Advanced Photonix Photodiodes
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 25
Wielokr.: 25

Photodiodes TO-5 Through Hole 50 nA 7 V - 40 C + 125 C
Advanced Photonix Photodiodes 3.0 mm diameter InGaAs Photodiode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

Photodiodes Through Hole 2 V - 40 C + 75 C FCI-InGaAs
Advanced Photonix Photodiodes 1mm dia InGaAs Quadrant PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes Through Hole 0.5 nA 15 V 3 ns 3 ns - 40 C + 75 C
Advanced Photonix Photodiodes 3mm dia InGaAs Quadrant PIN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Photodiodes Through Hole 2 nA 10 V 24 ns - 40 C + 75 C