Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 26.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIHR080N60ET1GE3

Nr prod.:

SIHR080N60E-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Karta charakterystyki:

SIHR080N60E-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIHR080N60E-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 2 187

Stany magazynowe:: 2 187 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 2187 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	26,49 zł	26,49 zł
	19,01 zł	190,10 zł
	14,45 zł	1 445,00 zł
	13,59 zł	13 590,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	12,86 zł	25 720,00 zł
	12,26 zł	49 040,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	51 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	74 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	42 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	500 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerPAK
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	31 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4.6 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	96 ns
Seria:	SIHR E
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	37 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	31 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIHR080N60E-T1-GE3 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystor mocy MOSFET SiHR080N60E z kanałem typu N

Tranzystor mocy MOSFET SiHR080N60E z kanałem typu N firmy Vishay / Siliconix to tranzystor mocy MOSFET 600 V serii E czwartej generacji w obudowie PowerPAK® 8 × 8LR. Tranzystor MOSFET zapewnia wyższą wydajność i gęstość mocy w zastosowaniach telekomunikacyjnych, przemysłowych i komputerowych. Układ SiHR080N60E charakteryzuje się niską typową rezystancją włączenia 0,074 Ω przy napięciu 10 V oraz bardzo niskim ładunkiem bramki do 42 nC. Przekłada się to na mniejsze straty przewodzenia i przełączania, co pozwala oszczędzać energię i zwiększyć wydajność systemów zasilania >2 kW. Obudowa ma również połączenie Kelvina zwiększające wydajność przełączania. Układ SiHR080N60E firmy Vishay / Siliconix zaprojektowano z myślą o wytrzymywaniu przejściowych przepięć w trybie lawinowym z gwarantowanymi limitami. Potwierdzają to zaliczone na 100% testy UIS.