N-kanałowe tranzystory MOSFET OptiMOS™

N-kanałowe tranzystory MOSFET OptiMOS™ firmy Infineon Technologies charakteryzują się niską rezystancją przewodzenia oraz obudową bezprzewodową typu SuperSO8. Tranzystory MOSFET OptiMOS 3 zwiększają gęstość mocy nawet do 50 procent w zastosowaniach przemysłowych, konsumenckich i telekomunikacyjnych. Moduły OptiMOS™ 3 są dostępne w wersjach 40 V, 60 V i 80 V w postaci N-kanałowych tranzystorów MOSFET, w obudowach SuperSO8 i Shrink SuperSO8 (S3O8). W porównaniu do standardowych obudów Transistor Outline (TO) obudowy SuperSO8 zwiększają gęstość mocy nawet o 50 procent.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Karta charakterystyki
8 442Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Karta charakterystyki
11 702Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Karta charakterystyki
5 486Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Karta charakterystyki
2 034Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Karta charakterystyki
3 107Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Karta charakterystyki
789Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 02.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
9 400Oczekiwane: 18.03.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel