Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGSH80HB65DAG

Name: STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGSH80HB65DAG
Price: 71.77 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGSH80HB65DAG

Nr prod.:

STGSH80HB65DAG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGSH80HB65DAG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGSH80HB65DAG

Na stanie magazynowym: 189

Stany magazynowe:: 189 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 200)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	71,77 zł	71,77 zł
	51,34 zł	513,40 zł
	46,61 zł	4 661,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 200)
	46,61 zł	9 322,00 zł
	41,80 zł	16 720,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	ACEPACK-5
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Dual
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.1 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	83 A
Pd – strata mocy:	250 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Prąd upływowy bramka–emiter:	800 nA
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	200
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	8,200 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGSH80HB65DAG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGSH80HB65DAG 650V 80A HB Series IGBT

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB Series IGBT features two IGBTs and diodes in a compact, rugged, surface-mounted package. The STMicroelectronics STGSH80HB65DAG IGBT is optimized for soft commutation, minimizing conduction and switching losses. Each switch includes a low-drop freewheeling diode, making it ideal for efficient resonant and soft-switching applications.