SCT4018KRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KRC15
SCT4018KRC15

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCT4018KRC15

Na stanie magazynowym: 226

Stany magazynowe:
226 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
122,01 zł 122,01 zł
95,26 zł 952,60 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
81 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 22 S
Opakowanie: Tube
Produkt: MOSFET's
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 21 ns
Wielkość opakowania producenta: 450
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 13 ns
Nazwy umowne nr części: SCT4018KR
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Tajlandia
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4018KR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a robust device optimized for high-efficiency power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 81A (at +25°C), the ROHM SCT4018KR delivers excellent performance in high-voltage environments. The device features a low typical on-resistance of 18mΩ and supports fast switching speeds, which significantly reduce switching losses and improve overall system efficiency. Housed in a TO-247-4L package, the SCT4018KR is well-suited for use in industrial power supplies, solar inverters, and motor drives. Leveraging the advantages of SiC technology, the SCT4018KR MOSFET offers superior thermal conductivity, high-temperature operation, and enhanced reliability, making it ideal for compact, high-performance power systems.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.